IT之家 7 月 25 日消息，集邦咨詢于 7 月 22 日發(fā)布市場(chǎng)研報(bào)，透露蘋(píng)果公司正醞釀使用 QLC NAND 閃存，最早 2026 年用于 iPhone 產(chǎn)品中，讓其存儲(chǔ)上限達(dá)到 2TB。

　　QLC 和 TLC

　　TLC 的全稱是 Triple Level Cell(三層單元)，進(jìn)一步增加存儲(chǔ)密度，每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)三位信息。

　　TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND，使其成為消費(fèi)電子產(chǎn)品和主流 SSD 的有吸引力選擇。

　　QLC 的全稱是 Quad-level cells(四層單元)，每個(gè)單元可儲(chǔ)存 4bit 數(shù)據(jù)，跟 TLC 相比，QLC 的儲(chǔ)存密度提高了 33%。

　　QLC NAND 通常用于入門(mén)級(jí)消費(fèi)者固態(tài)硬盤(pán)和大容量存儲(chǔ)應(yīng)用中，QLC NAND 的耐久度最低，通常 P / E Cycle(Program Erase Cycle)在 100 到 1000 之間。

　　制造商實(shí)施先進(jìn)的錯(cuò)誤校正機(jī)制、預(yù)留配置(OP)和 Wear leveling 以維持可靠性。

　　雖然 QLC NAND 可能不適合寫(xiě)入密集型工作負(fù)載，但它為日常使用提供了充足的存儲(chǔ)容量，使固態(tài)硬碟在更廣泛的用戶范圍內(nèi)觸手可及。

　　早有曝料蘋(píng)果正推進(jìn) QLC NAND

　　最早曝料信息稱蘋(píng)果計(jì)劃在 iPhone 14 系列上采用 QLC NAND，IT之家今年 1 月報(bào)道，蘋(píng)果可能會(huì)在 iPhone 16 Pro 系列上采用 QLC NAND。

　　集邦咨詢預(yù)估認(rèn)為蘋(píng)果公司正在加速推進(jìn) QLC NAND 換代，從而將內(nèi)置存儲(chǔ)上限提高到 2TB。

　　不過(guò)需要注意的是，雖然 QLC 的密度比 TLC 高，但速度卻比后者慢;而且單個(gè)單元中存在更多的單元，它們的耐用性較差，這意味著它們能處理的寫(xiě)入周期比 TLC 少。

　　迎接大語(yǔ)言模型

　　蘋(píng)果公司還在探索如何使用 NAND 閃存，而不是內(nèi)存來(lái)存儲(chǔ)大型語(yǔ)言模型(LLMs)，從而能夠在本地運(yùn)行更多 AI 任務(wù)，因此過(guò)渡到 QLC NAND 可能有助于改善 Apple Intelligence 的表現(xiàn)。

開(kāi)源大模型的“ChatGPT時(shí)...

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