蘋果迎接 AI 浪潮，醞釀為 iPhone 改用 QLC NAND

　　IT之家 7 月 25 日消息，集邦咨詢于 7 月 22 日發(fā)布市場研報，透露蘋果公司正醞釀使用 QLC NAND 閃存，最早 2026 年用于 iPhone 產(chǎn)品中，讓其存儲上限達(dá)到 2TB。

　　QLC 和 TLC

　　TLC 的全稱是 Triple Level Cell(三層單元)，進(jìn)一步增加存儲密度，每個存儲單元存儲三位信息。

　　TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND，使其成為消費(fèi)電子產(chǎn)品和主流 SSD 的有吸引力選擇。

　　QLC 的全稱是 Quad-level cells(四層單元)，每個單元可儲存 4bit 數(shù)據(jù)，跟 TLC 相比，QLC 的儲存密度提高了 33%。

　　QLC NAND 通常用于入門級消費(fèi)者固態(tài)硬盤和大容量存儲應(yīng)用中，QLC NAND 的耐久度最低，通常 P / E Cycle(Program Erase Cycle)在 100 到 1000 之間。

　　制造商實(shí)施先進(jìn)的錯誤校正機(jī)制、預(yù)留配置(OP)和 Wear leveling 以維持可靠性。

　　雖然 QLC NAND 可能不適合寫入密集型工作負(fù)載，但它為日常使用提供了充足的存儲容量，使固態(tài)硬碟在更廣泛的用戶范圍內(nèi)觸手可及。

　　早有曝料蘋果正推進(jìn) QLC NAND

　　最早曝料信息稱蘋果計劃在 iPhone 14 系列上采用 QLC NAND，IT之家今年 1 月報道，蘋果可能會在 iPhone 16 Pro 系列上采用 QLC NAND。

　　集邦咨詢預(yù)估認(rèn)為蘋果公司正在加速推進(jìn) QLC NAND 換代，從而將內(nèi)置存儲上限提高到 2TB。

　　不過需要注意的是，雖然 QLC 的密度比 TLC 高，但速度卻比后者慢;而且單個單元中存在更多的單元，它們的耐用性較差，這意味著它們能處理的寫入周期比 TLC 少。

　　迎接大語言模型

　　蘋果公司還在探索如何使用 NAND 閃存，而不是內(nèi)存來存儲大型語言模型(LLMs)，從而能夠在本地運(yùn)行更多 AI 任務(wù)，因此過渡到 QLC NAND 可能有助于改善 Apple Intelligence 的表現(xiàn)。

開源大模型的“ChatGPT時...

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