三星宣布采用 12 納米級工藝技術 開發容量最大的 32Gb DDR5 DRAM

　　三星今日宣布采用 12 納米 (nm) 級工藝技術，開發出其容量最大的 32Gb DDR5 DRAM，在相同封裝尺寸下，容量是 16Gb 內存模組的兩倍。

　　三星電子存儲器事業部內存開發組執行副總裁 SangJoon Hwang 表示：在三星最新推出的 12 納米級 32Gb 內存的基礎上，三星可以研發出實現 1TB 內存模組的解決方案，這有助于滿足人工智能和大數據時代對于大容量 DRAM 內存日益增長的需求。

　　IT 之家附三星 12 納米級 32Gb DDR5 DRAM 產品介紹如下：

　　通過使用最新開發的 32Gb 內存顆粒，即使不使用硅通孔 (TSV) 工藝也能夠生產 128GB 內存模組。與使用 16Gb 內存封裝的 128GB 內存模組相比，其功耗降低了約 10%。這一技術突破使該產品成為數據中心等關注能效的企業的優選解決方案。

　　以 12 納米級 32Gb DDR5 DRAM 為基礎，三星計劃繼續擴充大容量內存產品陣容，以滿足高性能計算和 IT 行業持續增長的需求。通過向數據中心，以及采用人工智能和下一代計算等應用的客戶提供 12 納米級的 32Gb 內存，三星希望鞏固其在下一代內存市場的前沿地位。未來，該產品還將在三星與其他核心行業伙伴的長期合作中發揮至關重要的作用。

　　全新 12 納米級 32Gb DDR5 DRAM 計劃于今年年底開始量產。
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